新式碳化硅沟槽器材技能讨论研讨进展

  高功率范畴等优势，商场宽广，使用场景广泛。也被认为是下一代800V电动轿车电驱核心技能。

  近来，第九届世界第三代（IFWS）&第二十届我国世界半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门世界会议中心举行。期间，“碳化功率器材及其封装技能分会“上，湖北九峰山试验室功率器材负责人袁俊做了“新式碳化硅沟槽器材技能讨论研讨进展”的主题陈述，共享了JFS多级沟槽二极管研讨，JFS新式沟槽MOSFET等内容。

  陈述指出，九峰山试验室聚集碳化硅要点共性问题的研讨，比方碳化硅器材的低损害，深P+掩蔽结构的结构问题；高温Al离子注入工艺在出产中的产能瓶颈问题；下一代碳化硅沟槽器材结构IP的探究及可制作性问题。九峰山在碳化硅芯片前沿技能讨论研讨和 IP 储藏方面，从多级沟槽JBS二极管技能动身，延申到各种新的SiC 器材技能结构，包含沟槽MOSFET和超结器材；和工业公司及Fab探究推行新的处理方案，可制作性技能。

  JFS多级沟槽二极管研讨方面，触及碳化硅多级沟槽JBS/MPS二极管技能开发，初次完成了“多级沟槽+低能量 P 注入”结构超2um结深；开宣告业界第一颗产等第的多级沟槽JBS二极管；处理了SiC沟槽器材中深 P 型掩蔽结构时，刻蚀视点/深度/离子注入能量剂量与注入损害之间的对立。碳化硅多级沟槽JBS/MPS二极管开发效果上，JFS特有的“多级沟槽二极管”，多批次良率>

  94%，高温封装作业>

  225℃；构成了系列IP储藏20+专利（包含规划和工艺know-how）；高温作业上的才能；更小芯片面积增加~30%单片芯粒产出；抗单粒子才能（试验研讨中）。

  沟槽结构IP及成套工艺是碳化硅下一代全球工业技能竞赛的要害，新式沟槽MOSFET 研讨方面，陈述共享了新式沟槽MOSFET新结构探究，包含“胶囊沟槽”、“包角沟槽”、“辅佐源极沟槽”、“多级沟槽超结”等研讨进展。研讨效果显现，周期性深掩蔽沟槽MOSFET开发DEMO-1，霸占了碳化硅沟槽MOSFET器材研制的多项要害工艺，构成沟槽MOS的SPB；开发成套工艺，国内第一家发布具有SiC沟槽才能的6英寸Fab工艺线。“胶囊”沟槽MOSFET开发DEMO-2，探究根据新式NPN“三明治”外延片夹层的碳化硅沟槽MOSFET器材结构；优化参数，进步器材功能，下降芯片本钱，开发新式器材技能。

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  （SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因此在高温、高频、大功率使用范畴具有十分显着优势。

  介绍与仿真 /

  比较，在某些特定条件下具有共同的优势，但也存在必定的缺乏。KeepTops告知你

  的优缺点 /

  的高效率和能量转化才能对节能和环保具有极端重大意义。论坛期间，我国电气配备集团

  半导体资料工业链简介 /

  需求的两层效果，导致了关于可用于构建更高效和更紧凑电源处理方案的半导体产品具有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）

  具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片首要由 MOSFET和 PN结组成。 在很多半导体

  ，热导率是硅资料的3倍，电子饱满漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。资料特性比照方图（1）所示。图（1） 4H型

  的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体

  ，首要体现在GS注册电压、GS关断电压、短路维护、信号推迟和抗干扰几个方面，详细如下

  价格的下降、功能和可靠性的进步，其功能得到必定的改进，可靠性得到了证明，在列表中的位置调高了，现在已被视为现有旧

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